IRGR3B60KD2TRRP
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| Teilenummer | IRGR3B60KD2TRRP |
| PNEDA Teilenummer | IRGR3B60KD2TRRP |
| Beschreibung | IGBT 600V 7.8A 52W DPAK |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.528 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRGR3B60KD2TRRP Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRGR3B60KD2TRRP |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IRGR3B60KD2TRRP Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 7.8A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 15.6A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 3A |
| Leistung - max | 52W |
| Schaltenergie | 62µJ (on), 39µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 13nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 18ns/110ns |
| Testbedingung | 400V, 3A, 100Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 77ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Lieferantengerätepaket | D-Pak |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 23A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 92A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 12A Leistung - max 100W Schaltenergie 360µJ Eingabetyp Standard Gate Charge 50nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 17ns/78ns Testbedingung 480V, 12A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.65V @ 15V, 20A Leistung - max 341W Schaltenergie 480µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 150nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/170ns Testbedingung 600V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie EcoSPARK® IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 360V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 21A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.65V @ 4.5V, 10A Leistung - max 150W Schaltenergie - Eingabetyp Logic Gate Charge 18nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 4µs/15µs Testbedingung 14V, 10A, 1000Ohm, 5V Reverse Recovery Time (trr) 7µs Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket TO-252, (D-Pak) |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 229A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 100A Leistung - max 625W Schaltenergie 4.75mJ (on), 2.675mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 600nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 31ns/310ns Testbedingung 400V, 100A, 1Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264 [L] |
Hersteller IXYS Serie GenX3™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 250A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 30A Leistung - max 300W Schaltenergie 410µJ (on), 230µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 77nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 19ns/60ns Testbedingung 400V, 30A, 3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
