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IRGP4660DPBF

IRGP4660DPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRGP4660DPBF
PNEDA Teilenummer IRGP4660DPBF
Beschreibung IGBT 600V 100A 330W TO247AC
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 7.002
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IRGP4660DPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRGP4660DPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IRGP4660DPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)144A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 48A
Leistung - max330W
Schaltenergie625µJ (on), 1.28mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge140nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.60ns/145ns
Testbedingung400V, 48A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)115ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AC

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.85V @ 15V, 50A

Leistung - max

390W

Schaltenergie

255µJ (on), 375µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

205nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/130ns

Testbedingung

390V, 33A, 3.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

42ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

6A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

14A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

7V @ 15V, 3A

Leistung - max

75W

Schaltenergie

590µJ (on), 180µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

18.5nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

46ns/220ns

Testbedingung

850V, 6A, 33Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

FGH60N60SMD-F085

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 60A

Leistung - max

600W

Schaltenergie

1.59mJ (on), 390µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

280nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/116ns

Testbedingung

400V, 60A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

42ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

NGTB40N120FLWG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 40A

Leistung - max

260W

Schaltenergie

2.6mJ (on), 1.6mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

415nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

130ns/385ns

Testbedingung

600V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

200ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

APT30GT60BRDQ2G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Thunderbolt IGBT®

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

64A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

110A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 30A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

80µJ (on), 605µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

7.5nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/225ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

22ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

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