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IRGB4610DPBF

IRGB4610DPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRGB4610DPBF
PNEDA Teilenummer IRGB4610DPBF
Beschreibung IGBT 600V 16A 77W TO220
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 2.250
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 28 - Dez 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRGB4610DPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRGB4610DPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IRGB4610DPBF, IRGB4610DPBF Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 405,76 KB)
PDFIRGR4610DTRPBF Datenblatt Cover
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IRGB4610DPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)16A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)18A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 6A
Leistung - max77W
Schaltenergie56µJ (on), 122µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge13nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.27ns/75ns
Testbedingung400V, 6A, 47Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)74ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220AB

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

400A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 60A

Leistung - max

540W

Schaltenergie

1.38mJ (on), 1.05mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

230nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

31ns/150ns

Testbedingung

480V, 50A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

38A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 20A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

3.1mJ (on), 2.4mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

70nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

600V, 20A, 82Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263

Hersteller

IXYS

Serie

XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

2500V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

29A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

70A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 8A

Leistung - max

280W

Schaltenergie

2.6mJ (on), 1.07mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

45nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

11ns/180ns

Testbedingung

1250V, 8A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

5ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263HV

IRGR2B60KDTRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

6.3A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

8A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 2A

Leistung - max

35W

Schaltenergie

74µJ (on), 39µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

12nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

11ns/150ns

Testbedingung

400V, 2A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

68ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

D-Pak

STGB19NC60HDT4

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 12A

Leistung - max

130W

Schaltenergie

85µJ (on), 189µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

53nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/97ns

Testbedingung

390V, 12A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

31ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Kürzlich verkauft

TS922IDT

TS922IDT

STMicroelectronics

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SO

JANTX1N4148-1

JANTX1N4148-1

Microsemi

DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

TAJA475K016RNJ

TAJA475K016RNJ

CAP TANT 4.7UF 10% 16V 1206

AQY210S

AQY210S

Panasonic Electric Works

SSR RELAY SPST-NO 120MA 0-350V

T520V337M2R5ATE025

T520V337M2R5ATE025

KEMET

CAP TANT POLY 330UF 2.5V 2917

DHRB34C102M2FB

DHRB34C102M2FB

Murata

CAP CER 1000PF 15KV RADIAL

DF10M

DF10M

Diodes Incorporated

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DFM

APT8024JLL

APT8024JLL

Microsemi

MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227

74HC160N,652

74HC160N,652

NXP

IC SYNC BCD DECADE COUNT 16DIP

NLC453232T-150K-PF

NLC453232T-150K-PF

TDK

FIXED IND 15UH 450MA 700 MOHM

SMBJ15A-E3/52

SMBJ15A-E3/52

Vishay Semiconductor Diodes Division

TVS DIODE 15V 24.4V DO214AA

BLM31PG391SN1L

BLM31PG391SN1L

Murata

FERRITE BEAD 390 OHM 1206 1LN