IRG8CH137K10F
Nur als Referenz
| Teilenummer | IRG8CH137K10F |
| PNEDA Teilenummer | IRG8CH137K10F |
| Beschreibung | IGBT CHIP WAFER |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.114 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
IRG8CH137K10F Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | IRG8CH137K10F |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- IRG8CH137K10F Datasheet
- where to find IRG8CH137K10F
- Infineon Technologies
- Infineon Technologies IRG8CH137K10F
- IRG8CH137K10F PDF Datasheet
- IRG8CH137K10F Stock
- IRG8CH137K10F Pinout
- Datasheet IRG8CH137K10F
- IRG8CH137K10F Supplier
- Infineon Technologies Distributor
- IRG8CH137K10F Price
- IRG8CH137K10F Distributor
IRG8CH137K10F Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 150A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 150A |
| Leistung - max | - |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 820nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 115ns/570ns |
| Testbedingung | 600V, 150A, 2Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | Die |
| Lieferantengerätepaket | Die |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 40A Leistung - max 62.5W Schaltenergie 456µJ (on), 411µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 226nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 52ns/208ns Testbedingung 400V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 41ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3PFM, SC-93-3 Lieferantengerätepaket TO-3PF-3 |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 70A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 35A Leistung - max 250W Schaltenergie 1.6mJ (on), 800µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 120nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung 300V, 35A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXDH) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 140A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 140A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 50A Leistung - max 300W Schaltenergie 1.25mJ (on), 530µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 128nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 75ns/128ns Testbedingung 400V, 50A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 70ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 10A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 24A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 3A Leistung - max 50W Schaltenergie 33µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 21nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 5ns/53ns Testbedingung 480V, 3A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 45ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller STMicroelectronics Serie Automotive, AEC-Q101 IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 435V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 25A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 50A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.25V @ 4V, 6A Leistung - max 150W Schaltenergie - Eingabetyp Logic Gate Charge 26nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 1.1µs/4.6µs Testbedingung 300V, 10A, 1kOhm, 5V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D²PAK |
