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IRG8CH10K10F

IRG8CH10K10F

Nur als Referenz

Teilenummer IRG8CH10K10F
PNEDA Teilenummer IRG8CH10K10F
Beschreibung IGBT 1200V 5A DIE
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 5.778
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IRG8CH10K10F Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRG8CH10K10F
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IRG8CH10K10F, IRG8CH10K10F Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 196,05 KB)
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IRG8CH10K10F Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)-
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 5A
Leistung - max-
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge30nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.20ns/160ns
Testbedingung600V, 5A, 47Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDie
LieferantengerätepaketDie

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Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

44A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

105A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 24A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

1.35mJ (on), 400µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

40nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/73ns

Testbedingung

450V, 24A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

340ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

IRG4BC20KDSTRLP

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

32A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 9A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

340µJ (on), 300µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

34nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

54ns/180ns

Testbedingung

480V, 9A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

37ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

FGH60N60UFDTU-F085

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 60A

Leistung - max

298W

Schaltenergie

2.47mJ (on), 810µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

192nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

29ns/138ns

Testbedingung

400V, 60A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

76ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

FGH80N60FD2TU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

Leistung - max

290W

Schaltenergie

1mJ (on), 520µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/126ns

Testbedingung

400V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

61ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

IRG4IBC30SPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

23.5A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

47A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 18A

Leistung - max

45W

Schaltenergie

260µJ (on), 3.45mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

50nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/540ns

Testbedingung

480V, 18A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220AB Full-Pak

Kürzlich verkauft

BA30BC0WFP-E2

BA30BC0WFP-E2

Rohm Semiconductor

IC REG LINEAR 3V 1A TO252-5

LM833DT

LM833DT

STMicroelectronics

IC AUDIO 2 CIRCUIT 8SO

WIZ810MJ

WIZ810MJ

WIZnet

CNTRLR ETHERNET 10/100 BASE-T/TX

LM324N

LM324N

ON Semiconductor

IC OPAMP GP 4 CIRCUIT 14DIP

AD8505ARJZ-R7

AD8505ARJZ-R7

Analog Devices

IC OPAMP GP 1 CIRCUIT SOT23-5

LTC2855IDE

LTC2855IDE

Linear Technology/Analog Devices

IC TRANSCEIVER FULL 1/1 12DFN

PS2801C-4-A

PS2801C-4-A

CEL

OPTOISO 2.5KV 4CH TRANS 16SSOP

S558-5999-M8-F

S558-5999-M8-F

Bel Fuse

MODULE XFRMR LAN GIGABIT 24P SMD

TL431ACLP

TL431ACLP

ON Semiconductor

IC VREF SHUNT ADJ TO92-3

LTC3400BES6#TRMPBF

LTC3400BES6#TRMPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG BOOST ADJ 600MA TSOT23-6

SMAJ33CA

SMAJ33CA

Bourns

TVS DIODE 33V 53.3V SMA

NIS5135MN1TXG

NIS5135MN1TXG

ON Semiconductor

IC ELECTRONIC FUSE 10DFN