IRG7PSH73K10PBF
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| Teilenummer | IRG7PSH73K10PBF |
| PNEDA Teilenummer | IRG7PSH73K10PBF |
| Beschreibung | IGBT 1200V 220A 1150W SUPER247 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.824 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IRG7PSH73K10PBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRG7PSH73K10PBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IRG7PSH73K10PBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 220A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 225A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 75A |
| Leistung - max | 1150W |
| Schaltenergie | 7.7mJ (on), 4.6mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 360nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 63ns/267ns |
| Testbedingung | 600V, 75A, 4.7Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-274AA |
| Lieferantengerätepaket | SUPER-247™ (TO-274AA) |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.53V @ 15V, 20A Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 500nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 120ns/445ns Testbedingung 600V, 100A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Die Lieferantengerätepaket Die |
Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 12A Leistung - max 130W Schaltenergie 135µJ (on), 815µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 54.5nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 17.5ns/175ns Testbedingung 480V, 12A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 31ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 300V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 120A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.4V @ 15V, 25A Leistung - max 290W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 120nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) 21ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
Hersteller IXYS Serie GenX3™, XPT™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 340A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 900A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 100A Leistung - max 1630W Schaltenergie 3mJ (on), 1.7mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 315nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 47ns/125ns Testbedingung 360V, 100A, 1Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264 (IXXK) |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 56A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 65A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 15A Leistung - max 250W Schaltenergie 130µJ (on), 121µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 55nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 8ns/29ns Testbedingung 400V, 15A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
