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IRG7PH35UD-EP

IRG7PH35UD-EP

Nur als Referenz

Teilenummer IRG7PH35UD-EP
PNEDA Teilenummer IRG7PH35UD-EP
Beschreibung IGBT 1200V 50A COPAK247
Hersteller Infineon Technologies
Stückpreis
1 ---------- $57,0707
100 ---------- $54,3955
250 ---------- $51,7203
500 ---------- $49,0452
750 ---------- $46,8158
1.000 ---------- $44,5865
Auf Lager 2.902
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IRG7PH35UD-EP Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRG7PH35UD-EP
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IRG7PH35UD-EP Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-TypTrench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)60A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 20A
Leistung - max180W
Schaltenergie1.06mJ (on), 620µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge85nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.30ns/160ns
Testbedingung600V, 20A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)105ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

48A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 30A

Leistung - max

235W

Schaltenergie

919µJ (on), 814µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

85nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/54ns

Testbedingung

300V, 30A, 7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PN

FGD2N40L

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

7A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

29A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 2.4V, 2.5A

Leistung - max

29W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

11nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

47ns/650ns

Testbedingung

300V, 2.5A, 51Ohm, 4V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

D-Pak

IRGS4715DPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

21A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 8A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

200µJ (on), 90µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

30nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/100ns

Testbedingung

400V, 8A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

86ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

43A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 25A

Leistung - max

147W

Schaltenergie

2.5mJ (on), 3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

76nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

70ns/250ns

Testbedingung

600V, 25A, 39Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

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Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

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