IRG7PH35UD-EP
Nur als Referenz
| Teilenummer | IRG7PH35UD-EP | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | IRG7PH35UD-EP | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT 1200V 50A COPAK247 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Infineon Technologies | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 2.902 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 17 - Mär 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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IRG7PH35UD-EP Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRG7PH35UD-EP |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IRG7PH35UD-EP Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 50A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 60A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 20A |
| Leistung - max | 180W |
| Schaltenergie | 1.06mJ (on), 620µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 85nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 30ns/160ns |
| Testbedingung | 600V, 20A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 105ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247AD |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 41A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 82A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.1V @ 15V, 21A Leistung - max 160W Schaltenergie 1.8mJ (on), 1.93mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 86nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 46ns/97ns Testbedingung 800V, 21A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 63ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 56A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 156A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 24A Leistung - max 190W Schaltenergie 440µJ (on), 700µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 77nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 21ns/200ns Testbedingung 400V, 24A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 30ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 48A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 90A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 30A Leistung - max 235W Schaltenergie 919µJ (on), 814µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 85nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/54ns Testbedingung 300V, 30A, 7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3PN |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 400V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 7A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 29A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.6V @ 2.4V, 2.5A Leistung - max 29W Schaltenergie - Eingabetyp Logic Gate Charge 11nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 47ns/650ns Testbedingung 300V, 2.5A, 51Ohm, 4V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket D-Pak |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 400V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 7V @ 2.5V, 100A Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket 8-ECH |
