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IRFS4410

IRFS4410

Nur als Referenz

Teilenummer IRFS4410
PNEDA Teilenummer IRFS4410
Beschreibung MOSFET N-CH 100V 96A D2PAK
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 5.994
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IRFS4410 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRFS4410
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IRFS4410, IRFS4410 Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 802,3 KB)
PDFIRFSL4410 Datenblatt Cover
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IRFS4410 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieHEXFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.96A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs10mOhm @ 58A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs180nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds5150pF @ 50V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)250W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketD2PAK
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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TT Electronics/Optek Technology

Hersteller

TT Electronics/Optek Technology

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

200mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±40V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

60pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

300mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

3-SMD

Paket / Fall

3-SMD, No Lead

Hersteller

IXYS

Serie

TrenchHV™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

150V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

160A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.6mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

160nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

8800pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

830W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXFH)

Paket / Fall

TO-247-3

IPP50R190CEXKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ CE

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

18.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

13V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190mOhm @ 6.2A, 13V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 510µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

47.2nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1137pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

127W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3

Paket / Fall

TO-220-3

FQD5N50CTM_F080

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

625pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 48W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-Pak

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SI4774DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

SkyFET®, TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

16A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14.3nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1025pF @ 15V

FET-Funktion

Schottky Diode (Body)

Verlustleistung (max.)

5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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1014-12

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