Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IRFPC60LCPBF

IRFPC60LCPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRFPC60LCPBF
PNEDA Teilenummer IRFPC60LCPBF
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 16A TO-247AC
Hersteller Vishay Siliconix
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 8.460
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Sep 23 - Sep 28 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRFPC60LCPBF Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRFPC60LCPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IRFPC60LCPBF, IRFPC60LCPBF Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 661,09 KB)
PDFIRFPC60LC Datenblatt Cover
IRFPC60LC Datenblatt Seite 2 IRFPC60LC Datenblatt Seite 3 IRFPC60LC Datenblatt Seite 4 IRFPC60LC Datenblatt Seite 5 IRFPC60LC Datenblatt Seite 6 IRFPC60LC Datenblatt Seite 7 IRFPC60LC Datenblatt Seite 8 IRFPC60LC Datenblatt Seite 9

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IRFPC60LCPBF Datasheet
  • where to find IRFPC60LCPBF
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix IRFPC60LCPBF
  • IRFPC60LCPBF PDF Datasheet
  • IRFPC60LCPBF Stock

  • IRFPC60LCPBF Pinout
  • Datasheet IRFPC60LCPBF
  • IRFPC60LCPBF Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • IRFPC60LCPBF Price
  • IRFPC60LCPBF Distributor

IRFPC60LCPBF Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.16A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs400mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs120nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds3500pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)280W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-247-3
Paket / FallTO-247-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

FQU17P06TU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

135mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

900pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 44W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

I-PAK

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

IXTP36P15P

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

PolarP™

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

150V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

36A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

55nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3100pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

300W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

SIHB24N65ET5-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

E

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

24A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

145mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

122nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2740pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

250W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-263 (D²Pak)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

APTM50UM13SAG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

335A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 167.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 20mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

800nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

42200pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3290W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Lieferantengerätepaket

SP6

Paket / Fall

SP6

FCPF150N65F

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

14.9A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

94nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3737pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

39W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220F

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Kürzlich verkauft

KSR223GLFG

KSR223GLFG

C&K

SWITCH TACTILE SPST-NO 0.01A 32V

MT25QL01GBBB8E12-0SIT

MT25QL01GBBB8E12-0SIT

Micron Technology Inc.

IC FLASH 1G SPI 133MHZ 24TPBGA

TX1475NL

TX1475NL

Pulse Electronics Network

XFRMR OCTAL 1:2/1:1 1.2MH SMD

LTC3676HUJ-1#TRPBF

LTC3676HUJ-1#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG CONV I.MX6 7OUT 40QFN

ADA4091-2ACPZ-RL

ADA4091-2ACPZ-RL

Analog Devices

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8LFCSP

AD8556ARZ

AD8556ARZ

Analog Devices

IC OPAMP ZERO-DRIFT 1 CIRC 8SOIC

ASDXRRX005KGAA5

ASDXRRX005KGAA5

Honeywell Sensing and Productivity Solutions

SENSOR PRESSURE DIFF

XU208-128-TQ64-C10

XU208-128-TQ64-C10

XMOS

IC MCU 32BIT ROMLESS 64TQFP

HX2019NLT

HX2019NLT

Pulse Electronics Network

XFRMR MAGNT MOD 1PORT POE 10/100

SMAJ6.0A

SMAJ6.0A

Bourns

TVS DIODE 6V 10.3V SMA

VC060318A400RP

VC060318A400RP

VARISTOR 25.5V 30A 0603

LD1086D2T33TR

LD1086D2T33TR

STMicroelectronics

IC REG LINEAR 3.3V 1.5A D2PAK