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IRFI2807

IRFI2807

Nur als Referenz

Teilenummer IRFI2807
PNEDA Teilenummer IRFI2807
Beschreibung MOSFET N-CH 75V 40A TO220FP
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 2.448
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IRFI2807 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRFI2807
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IRFI2807, IRFI2807 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 548,87 KB)
PDFIRFI2807 Datenblatt Cover
IRFI2807 Datenblatt Seite 2 IRFI2807 Datenblatt Seite 3 IRFI2807 Datenblatt Seite 4 IRFI2807 Datenblatt Seite 5 IRFI2807 Datenblatt Seite 6 IRFI2807 Datenblatt Seite 7 IRFI2807 Datenblatt Seite 8

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IRFI2807 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieHEXFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)75V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs13mOhm @ 43A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs150nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds3400pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)48W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220AB Full-Pak
Paket / FallTO-220-3 Full Pack

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

39A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25.9nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

95W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

LFPAK56, Power-SO8

Paket / Fall

SC-100, SOT-669

SPP02N60C3HKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.8A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 80µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.5nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

200pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

25W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3-1

Paket / Fall

TO-220-3

IXTR16P60P

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

PolarP™

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

790mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

92nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5120pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

190W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

Paket / Fall

ISOPLUS247™

DMN2004WK-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

540mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

550mOhm @ 540mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 16V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

200mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-323

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

FKI10198

Sanken

Hersteller

Sanken

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

31A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17.8mOhm @ 23.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

55.8nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3990pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

40W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220F

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Kürzlich verkauft

CP2102-GM

CP2102-GM

Silicon Labs

IC USB-TO-UART BRIDGE 28VQFN

MAX6369KA-T

MAX6369KA-T

Maxim Integrated

IC WATCHDOG TIMER SOT23-8

TSM2323CX RFG

TSM2323CX RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

MOSFET P-CHANNEL 20V 4.7A SOT23

LTM4613IV#PBF

LTM4613IV#PBF

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 12V 8A

VLMS1300-GS08

VLMS1300-GS08

Vishay Semiconductor Opto Division

LED RED 0603 SMD

LTC6655BHMS8-1.25#TRPBF

LTC6655BHMS8-1.25#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC VREF SERIES 1.25V 8MSOP

AD8250ARMZ-RL

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Analog Devices

IC INST AMP 1 CIRCUIT 10MSOP

MC9S08LH36CLH

MC9S08LH36CLH

NXP

IC MCU 8BIT 36KB FLASH 64LQFP

ST3485EBDR

ST3485EBDR

STMicroelectronics

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 8SO

EP4CE40F23I7N

EP4CE40F23I7N

Intel

IC FPGA 328 I/O 484FBGA

IRLML6401TRPBF

IRLML6401TRPBF

Infineon Technologies

MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23

LTST-C150TBKT

LTST-C150TBKT

Lite-On Inc.

LED BLUE CLEAR 1206 SMD