IRFHM830DTR2PBF
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| Teilenummer | IRFHM830DTR2PBF |
| PNEDA Teilenummer | IRFHM830DTR2PBF |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 20A PQFN |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.100 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRFHM830DTR2PBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRFHM830DTR2PBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IRFHM830DTR2PBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 20A (Ta), 40A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 50µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1797pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 2.8W (Ta), 37W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PQFN (3x3) |
| Paket / Fall | 8-VQFN Exposed Pad |
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