IRF7521D1
Nur als Referenz
| Teilenummer | IRF7521D1 |
| PNEDA Teilenummer | IRF7521D1 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO-8 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.074 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRF7521D1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRF7521D1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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IRF7521D1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | FETKY™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 2.4A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 135mOhm @ 1.7A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 260pF @ 15V |
| FET-Funktion | Schottky Diode (Isolated) |
| Verlustleistung (max.) | 1.3W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | Micro8™ |
| Paket / Fall | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
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Hersteller Infineon Technologies Serie StrongIRFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 89A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7mOhm @ 53A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 186nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6504pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 96W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket DirectFET™ Isometric ME Paket / Fall DirectFET™ Isometric ME |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 73A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.4nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 843pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 69W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-PDFN (5x6) Paket / Fall 8-PowerTDFN |
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