IRF7102
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| Teilenummer | IRF7102 |
| PNEDA Teilenummer | IRF7102 |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.578 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 22 - Mär 27 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IRF7102 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRF7102 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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IRF7102 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 2A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 1.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.6nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 120pF @ 25V |
| Leistung - max | 2W |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
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Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 760pF @ 15V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 900mA, 600mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 900mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.9nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 120pF @ 10V Leistung - max 300mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SC-70-6 |
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 186mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 175pF @ 38V Leistung - max 15.4W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® 1212-8 Dual Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8 Dual |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 650mA, 450mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 590mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.4nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 55pF @ 15V Leistung - max 310mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SOT-363 |
Hersteller Diodes Incorporated Serie * FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
