Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IRF624SPBF

IRF624SPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRF624SPBF
PNEDA Teilenummer IRF624SPBF
Beschreibung MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK
Hersteller Vishay Siliconix
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 19.512
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 25 - Jun 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRF624SPBF Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRF624SPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IRF624SPBF, IRF624SPBF Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 175,24 KB)
PDFIRF624STRR Datenblatt Cover
IRF624STRR Datenblatt Seite 2 IRF624STRR Datenblatt Seite 3 IRF624STRR Datenblatt Seite 4 IRF624STRR Datenblatt Seite 5 IRF624STRR Datenblatt Seite 6 IRF624STRR Datenblatt Seite 7 IRF624STRR Datenblatt Seite 8 IRF624STRR Datenblatt Seite 9

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IRF624SPBF Datasheet
  • where to find IRF624SPBF
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix IRF624SPBF
  • IRF624SPBF PDF Datasheet
  • IRF624SPBF Stock

  • IRF624SPBF Pinout
  • Datasheet IRF624SPBF
  • IRF624SPBF Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • IRF624SPBF Price
  • IRF624SPBF Distributor

IRF624SPBF Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)250V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.1Ohm @ 2.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds260pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)3.1W (Ta), 50W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketD2PAK
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

STI16NM50N

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ II

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

15A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

260mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

125W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

I2PAK

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

DMJ70H1D5SV3

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

700V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.8nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

316pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

78W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-251

Paket / Fall

TO-251-3 Stub Leads, IPak

TSM15N50CZ C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

14A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

440mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2263pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220

Paket / Fall

TO-220-3

APT38F50J

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

38A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 28A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

220nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

8800pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

355W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Lieferantengerätepaket

ISOTOP®

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

IRFU3707PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

61A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1990pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

87W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

IPAK (TO-251)

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Kürzlich verkauft

GRM43ER71A226KE01L

GRM43ER71A226KE01L

Murata

CAP CER 22UF 10V X7R 1812

MX25V1635FZNI

MX25V1635FZNI

Macronix

IC FLASH 16M SPI 80MHZ 8WSON

843002AKI-40LFT

843002AKI-40LFT

IDT, Integrated Device Technology

IC SYNTHESIZER LVPECL 32-VFQFPN

AP2111MPG-13

AP2111MPG-13

Diodes Incorporated

IC USB SWITCH 2.45A CURR 8MSOP

LAN8710AI-EZK

LAN8710AI-EZK

Microchip Technology

IC TRANSCEIVER FULL 4/4 32QFN

SMD050-2

SMD050-2

Littelfuse

PTC RESET FUSE 60V 500MA 2SMD

MC74HC00ADR2G

MC74HC00ADR2G

ON Semiconductor

IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SOIC

ABLS2-12.000MHZ-D4Y-T

ABLS2-12.000MHZ-D4Y-T

Abracon

CRYSTAL 12.0000MHZ 18PF SMD

M29W200BB70N1

M29W200BB70N1

Micron Technology Inc.

IC FLASH 2M PARALLEL 48TSOP

B41458B8229M000

B41458B8229M000

TDK-EPCOS

CAP ALUM 22000UF 20% 63V SCREW

DS1305EN+T&R

DS1305EN+T&R

Maxim Integrated

IC RTC CLK/CALENDAR SPI 20-TSSOP

TAJB475K016RNJ

TAJB475K016RNJ

CAP TANT 4.7UF 10% 16V 1411