IRF3704ZCLPBF
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| Teilenummer | IRF3704ZCLPBF |
| PNEDA Teilenummer | IRF3704ZCLPBF |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 20V 67A TO-262 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.104 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRF3704ZCLPBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRF3704ZCLPBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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IRF3704ZCLPBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 67A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.9mOhm @ 21A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.55V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1220pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 57W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-262 |
| Paket / Fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
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Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 30mA (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 0V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 800Ohm @ 16mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 8µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.18nC @ 4.5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 51.42pF @ 25V FET-Funktion Depletion Mode Verlustleistung (max.) 500mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-23 Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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