IR3598MTR1PBF
Nur als Referenz
| Teilenummer | IR3598MTR1PBF |
| PNEDA Teilenummer | IR3598MTR1PBF |
| Beschreibung | IC MOSFET DRVR N-CH DUAL 16QFN |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.400 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 20 - Dez 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IR3598MTR1PBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IR3598MTR1PBF |
| Kategorie | Halbleiter › Energieverwaltungs-ICs › PMIC - Gate-Treiber |
| Datenblatt |
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IR3598MTR1PBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| Kanaltyp | Synchronous |
| Anzahl der Treiber | 4 |
| Gate-Typ | N-Channel MOSFET |
| Spannung - Versorgung | 4.5V ~ 5.5V |
| Logikspannung - VIL, VIH | 0.7V, 1.3V |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | - |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | - |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 15ns, 12ns |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 16-VFQFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 16-QFN (3x3) |
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Hersteller Maxim Integrated Serie - Angetriebene Konfiguration Low-Side Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel, P-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 4.5V ~ 18V Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.4V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 2A, 2A Eingabetyp Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 25ns, 20ns Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
