IR2112-2
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| Teilenummer | IR2112-2 |
| PNEDA Teilenummer | IR2112-2 |
| Beschreibung | IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16-DIP |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.444 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 26 - Mär 3 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IR2112-2 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IR2112-2 |
| Kategorie | Halbleiter › Energieverwaltungs-ICs › PMIC - Gate-Treiber |
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IR2112-2 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| Kanaltyp | Independent |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Gate-Typ | IGBT, N-Channel MOSFET |
| Spannung - Versorgung | 10V ~ 20V |
| Logikspannung - VIL, VIH | 6V, 9.5V |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | 250mA, 500mA |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 600V |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 80ns, 40ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | 16-DIP (0.300", 7.62mm), 14 Leads |
| Lieferantengerätepaket | 16-PDIP |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 10V ~ 20V Logikspannung - VIL, VIH 6V, 9.5V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 2.5A, 2.5A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 25ns, 17ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 16-VFQFN Exposed Pad, 14 Leads Lieferantengerätepaket 16-MLPQ (4x4) |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp 3-Phase Anzahl der Treiber 6 Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 10V ~ 20V Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.2V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 250mA, 500mA Eingabetyp Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 80ns, 35ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 28-DIP (0.600", 15.24mm) Lieferantengerätepaket 28-PDIP |
Hersteller Microchip Technology Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp 3-Phase Anzahl der Treiber 6 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 5.25V ~ 16V Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.2V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 1A, 1A Eingabetyp Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 108V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 20ns, 20ns Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 28-VFQFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 28-QFN (4x5) |
Hersteller ON Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q100 Angetriebene Konfiguration High-Side Kanaltyp Single Anzahl der Treiber 1 Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 10V ~ 20V Logikspannung - VIL, VIH - Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 200mA, 400mA Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 200ns, 25ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller Microchip Technology Serie - Angetriebene Konfiguration Low-Side Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel, P-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 4.5V ~ 16V Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 3V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 1.2A, 1.2A Eingabetyp Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 35ns, 25ns Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 8-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 8-PDIP |
