Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IPT60R150G7XTMA1

IPT60R150G7XTMA1

Nur als Referenz

Teilenummer IPT60R150G7XTMA1
PNEDA Teilenummer IPT60R150G7XTMA1
Beschreibung MOSFET N-CH 650V 17A HSOF-8
Hersteller Infineon Technologies
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 5.778
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mär 19 - Mär 24 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IPT60R150G7XTMA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIPT60R150G7XTMA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IPT60R150G7XTMA1 Datasheet
  • where to find IPT60R150G7XTMA1
  • Infineon Technologies

  • Infineon Technologies IPT60R150G7XTMA1
  • IPT60R150G7XTMA1 PDF Datasheet
  • IPT60R150G7XTMA1 Stock

  • IPT60R150G7XTMA1 Pinout
  • Datasheet IPT60R150G7XTMA1
  • IPT60R150G7XTMA1 Supplier

  • Infineon Technologies Distributor
  • IPT60R150G7XTMA1 Price
  • IPT60R150G7XTMA1 Distributor

IPT60R150G7XTMA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieCoolMOS™ G7
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.17A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs150mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 260µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds902pF @ 400V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)106W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketPG-HSOF-8-2
Paket / Fall8-PowerSFN

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

AO6085N03

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11A (Ta), 50A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1380pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.9W (Ta), 31W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-DFN (5x6)

Paket / Fall

8-VDFN Exposed Pad

AOT416L_001

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

*

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220

Paket / Fall

TO-220-3

IXTQ86N20T

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

86A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

90nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4500pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

480W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-3P

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

IXTQ26N60P

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

PolarHV™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

26A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

270mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

72nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4150pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

460W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-3P

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

AOB280L

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20.5A (Ta), 140A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

224nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

11135pF @ 40V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.1W (Ta), 333W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-263 (D²Pak)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Kürzlich verkauft

FPF3042UCX

FPF3042UCX

ON Semiconductor

IC OR CTRLR SRC SELECT 16WLCSP

DECB33J681KC4B

DECB33J681KC4B

Murata

CAP CER 680PF 6.3KV RADIAL

NLC453232T-150K-PF

NLC453232T-150K-PF

TDK

FIXED IND 15UH 450MA 700 MOHM

LT1167ACS8#PBF

LT1167ACS8#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC INST AMP 1 CIRCUIT 8SO

CAY10-330J4LF

CAY10-330J4LF

Bourns

RES ARRAY 4 RES 33 OHM 0804

SMBJ12A

SMBJ12A

TVS DIODE 12V 19.9V SMB

DMG4468LFG-7

DMG4468LFG-7

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 30V 7.62A DFN3030-8

TDA7267A

TDA7267A

STMicroelectronics

IC AMP AUDIO 3W MONO AB 16DIP

HCPL-3700-500E

HCPL-3700-500E

Broadcom

OPTOISOLATOR 3.75KV DARL 8DIP GW

ATMEGA328P-15AZ

ATMEGA328P-15AZ

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 32KB FLASH 32TQFP

BZT52C22-7-F

BZT52C22-7-F

Diodes Incorporated

DIODE ZENER 22V 500MW SOD123

BSS123

BSS123

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23