IPP60R170CFD7XKSA1
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| Teilenummer | IPP60R170CFD7XKSA1 |
| PNEDA Teilenummer | IPP60R170CFD7XKSA1 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH TO220-3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 14.394 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IPP60R170CFD7XKSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IPP60R170CFD7XKSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IPP60R170CFD7XKSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | CoolMOS™ CFD7 |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 14A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 300µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1199pF @ 400V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 75W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO220-3 |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 900mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 540mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.8nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 88pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket Micro6™(TSOP-6) Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
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