IPI65R380C6XKSA1
Nur als Referenz
| Teilenummer | IPI65R380C6XKSA1 |
| PNEDA Teilenummer | IPI65R380C6XKSA1 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 10.6A TO262 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.230 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 26 - Mär 3 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
IPI65R380C6XKSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | IPI65R380C6XKSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- IPI65R380C6XKSA1 Datasheet
- where to find IPI65R380C6XKSA1
- Infineon Technologies
- Infineon Technologies IPI65R380C6XKSA1
- IPI65R380C6XKSA1 PDF Datasheet
- IPI65R380C6XKSA1 Stock
- IPI65R380C6XKSA1 Pinout
- Datasheet IPI65R380C6XKSA1
- IPI65R380C6XKSA1 Supplier
- Infineon Technologies Distributor
- IPI65R380C6XKSA1 Price
- IPI65R380C6XKSA1 Distributor
IPI65R380C6XKSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | CoolMOS™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 10.6A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 3.2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 320µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 710pF @ 100V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 83W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO262-3 |
| Paket / Fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller ON Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7.4A (Ta), 37A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 32A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1890pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 72W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D-PAK (TO-252) Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie POWER MOS 8™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 115nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4525pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 415W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D3Pak Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 10.3A (Ta), 54A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1932pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.38W (Ta), 37.5W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket DPAK Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 41A (Ta), 235A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4300pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.8W (Ta), 128W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall 8-PowerTDFN, 5 Leads |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 14.5A (Ta), 47A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.7mOhm @ 14.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.7V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1880pF @ 30V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3W (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-HSOP Paket / Fall 8-PowerTDFN |
