IPDH5N03LA G
Nur als Referenz
| Teilenummer | IPDH5N03LA G |
| PNEDA Teilenummer | IPDH5N03LA-G |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 25V 50A DPAK |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.444 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 20 - Apr 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
IPDH5N03LA G Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | IPDH5N03LA G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- IPDH5N03LA G Datasheet
- where to find IPDH5N03LA G
- Infineon Technologies
- Infineon Technologies IPDH5N03LA G
- IPDH5N03LA G PDF Datasheet
- IPDH5N03LA G Stock
- IPDH5N03LA G Pinout
- Datasheet IPDH5N03LA G
- IPDH5N03LA G Supplier
- Infineon Technologies Distributor
- IPDH5N03LA G Price
- IPDH5N03LA G Distributor
IPDH5N03LA G Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | OptiMOS™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 50A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 35µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 5V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2653pF @ 15V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 83W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO252-3 |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller STMicroelectronics Serie Automotive, AEC-Q101, STripFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 16A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5Ohm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3100pF @ 50V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 5W (Ta), 100W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerFlat™ (5x6) Paket / Fall 8-PowerVDFN |
Hersteller STMicroelectronics Serie MDmesh™ II FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 14A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V Vgs (Max) ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1000pF @ 50V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 110W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220AB Paket / Fall TO-220-3 |
Hersteller Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 350mOhm @ 900mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.1nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 206pF @ 30V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 720mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-23 Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Hersteller STMicroelectronics Serie SuperMESH™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 700V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 850mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 90nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2000pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 35W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220FP Paket / Fall TO-220-3 Full Pack |
Hersteller Infineon Technologies Serie CoolMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 385mOhm @ 5.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 340µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 790pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 31W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket PG-TO220-FP Paket / Fall TO-220-3 Full Pack |
