IPC302N08N3X2SA1
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Teilenummer | IPC302N08N3X2SA1 |
PNEDA Teilenummer | IPC302N08N3X2SA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 80V SAWN WAFER |
Hersteller | Infineon Technologies |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 2.106 |
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IPC302N08N3X2SA1 Ressourcen
Marke | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | IPC302N08N3X2SA1 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IPC302N08N3X2SA1 Technische Daten
Hersteller | Infineon Technologies |
Serie | * |
FET-Typ | - |
Technologie | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | - |
Betriebstemperatur | - |
Montagetyp | - |
Lieferantengerätepaket | - |
Paket / Fall | - |
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