IPB50R299CPATMA1
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Teilenummer | IPB50R299CPATMA1 |
PNEDA Teilenummer | IPB50R299CPATMA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 550V 12A TO-263 |
Hersteller | Infineon Technologies |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 3.150 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IPB50R299CPATMA1 Ressourcen
Marke | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | IPB50R299CPATMA1 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
IPB50R299CPATMA1, IPB50R299CPATMA1 Datenblatt
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IPB50R299CPATMA1 Technische Daten
Hersteller | Infineon Technologies |
Serie | CoolMOS™ |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 550V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 12A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 299mOhm @ 6.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 440µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1190pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 104W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | PG-TO263-3-2 |
Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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