IPB033N10N5LFATMA1
Nur als Referenz
| Teilenummer | IPB033N10N5LFATMA1 |
| PNEDA Teilenummer | IPB033N10N5LFATMA1 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 100V D2PAK-3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 13.698 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IPB033N10N5LFATMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IPB033N10N5LFATMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IPB033N10N5LFATMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | OptiMOS™-5 |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 120A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.1V @ 150µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 102nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 460pF @ 50V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 179W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO263-3 |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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