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IPB021N06N3GATMA1

IPB021N06N3GATMA1

Nur als Referenz

Teilenummer IPB021N06N3GATMA1
PNEDA Teilenummer IPB021N06N3GATMA1
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 3.636
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IPB021N06N3GATMA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIPB021N06N3GATMA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

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IPB021N06N3GATMA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieOptiMOS™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.1mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 196µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs275nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds23000pF @ 30V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)250W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketD²PAK (TO-263AB)
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

FRFET®, SupreMOS®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

600A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.3mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

590nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

40000pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

830W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

24-SMPD

Paket / Fall

24-PowerSMD, 21 Leads

FDMS9408-F085

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.8mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

92nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5120pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

214W (Tj)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

Power56

Paket / Fall

8-PowerTDFN

AON6514

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

23A (Ta), 30A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22.5nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

951pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

4.1W (Ta), 25W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-DFN (5x6)

Paket / Fall

8-PowerSMD, Flat Leads

FQAF11N90

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

900V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.2A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

960mOhm @ 3.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

94nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3500pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

120W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-3PF

Paket / Fall

TO-3P-3 Full Pack

APTM120SK15G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

60A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

175mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 10mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

748nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

20600pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1250W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Lieferantengerätepaket

SP6

Paket / Fall

SP6

Kürzlich verkauft

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FIXED IND 470NH 10.9A 3.67 MOHM

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ON Semiconductor

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ATXMEGA16A4U-AU

ATXMEGA16A4U-AU

Microchip Technology

IC MCU 8/16BIT 16KB FLASH 44TQFP

MPZ2012S300AT000

MPZ2012S300AT000

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FERRITE BEAD 30 OHM 0805 1LN

MMBT2369LT1G

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ZHCS400TA

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