IMZ120R060M1HXKSA1
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| Teilenummer | IMZ120R060M1HXKSA1 |
| PNEDA Teilenummer | IMZ120R060M1HXKSA1 |
| Beschreibung | COOLSIC MOSFETS 1200V |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.760 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Sep 25 - Sep 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IMZ120R060M1HXKSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IMZ120R060M1HXKSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IMZ120R060M1HXKSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | CoolSiC™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1.2kV |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 36A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 18V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 78mOhm @ 13A, 18V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.7V @ 5.6mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 18V |
| Vgs (Max) | +23V, -7V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1.06nF @ 800V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 150W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO247-4-1 |
| Paket / Fall | TO-247-4 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 95mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.5nC @ 4.5V Vgs (Max) ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 265pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1W (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 3-CPH Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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