IMT4T108
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| Teilenummer | IMT4T108 |
| PNEDA Teilenummer | IMT4T108 |
| Beschreibung | TRANS 2PNP 120V 0.05A 6SMT |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
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| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IMT4T108 Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IMT4T108 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays |
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IMT4T108 Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | 2 PNP (Dual) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 50mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 120V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 1mA, 10mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 180 @ 2mA, 6V |
| Leistung - max | 300mW |
| Frequenz - Übergang | 140MHz |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-74, SOT-457 |
| Lieferantengerätepaket | SMT6 |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp 7 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Leistung - max - Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 16-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 16-PDIP |
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Hersteller STMicroelectronics Serie - Transistortyp 7 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 1000 @ 350mA, 2V Leistung - max - Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 16-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 16-DIP |
