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IMBD4448-HE3-08

IMBD4448-HE3-08

Nur als Referenz

Teilenummer IMBD4448-HE3-08
PNEDA Teilenummer IMBD4448-HE3-08
Beschreibung DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 8.658
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IMBD4448-HE3-08 Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIMBD4448-HE3-08
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
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IMBD4448-HE3-08 Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
SerieAutomotive, AEC-Q101
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)75V
Current - Average Rectified (Io)150mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1V @ 10mA
GeschwindigkeitSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr)4ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr2.5µA @ 70V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketSOT-23
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle150°C (Max)

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

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Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

300V

Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 300V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

DPAK

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

175°C (Max)

VS-150KS60

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

150A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.33V @ 471A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

35mA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

B-42

Lieferantengerätepaket

B-42

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 200°C

RGP10K

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

500ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 800V

Kapazität @ Vr, F.

15pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AL (DO-41)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

MBR1100RL

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

790mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

Axial

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

DA2S10400L

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

80V

Current - Average Rectified (Io)

200mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 200mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

10ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500nA @ 80V

Kapazität @ Vr, F.

4pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-79, SOD-523

Lieferantengerätepaket

SSMini2-F5-B

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

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