IKZ75N65ES5XKSA1
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| Teilenummer | IKZ75N65ES5XKSA1 |
| PNEDA Teilenummer | IKZ75N65ES5XKSA1 |
| Beschreibung | IGBT TRENCH 650V 80A TO247-4 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.398 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IKZ75N65ES5XKSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IKZ75N65ES5XKSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IKZ75N65ES5XKSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | TrenchStop™ 5 |
| IGBT-Typ | Trench |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 80A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 300A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.75V @ 15V, 75A |
| Leistung - max | 395W |
| Schaltenergie | 1.3mJ (on), 1.5mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 164nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 46ns/405ns |
| Testbedingung | 400V, 15A, 22.3Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 72ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-4 |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO247-4 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 200A Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 1110nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 135ns/640ns Testbedingung 600V, 200A, 2Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Die Lieferantengerätepaket Die |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 45A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 108A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 12A Leistung - max 167W Schaltenergie 55µJ (on), 100µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 23nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 6ns/40ns Testbedingung 390V, 12A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263AB |
Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 76A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 152A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 39A Leistung - max 200W Schaltenergie 4mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 110nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/250ns Testbedingung 480V, 39A, 4.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 25ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXGH) |
Hersteller IXYS Serie GenX3™, XPT™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 550A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 1140A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.6V @ 15V, 100A Leistung - max 2300W Schaltenergie 3.45mJ (on), 2.86mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 460nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 50ns/190ns Testbedingung 400V, 100A, 1Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PLUS247™-3 |
