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IKQ50N120CH3XKSA1

IKQ50N120CH3XKSA1

Nur als Referenz

Teilenummer IKQ50N120CH3XKSA1
PNEDA Teilenummer IKQ50N120CH3XKSA1
Beschreibung IGBT HS SW 1200V 50A TO-247-3
Hersteller Infineon Technologies
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IKQ50N120CH3XKSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIKQ50N120CH3XKSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IKQ50N120CH3XKSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.35V @ 15V, 50A
Leistung - max652W
Schaltenergie3mJ (on), 1.9mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge235nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.34ns/297ns
Testbedingung600V, 50A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketPG-TO247-3-46

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 20A

Leistung - max

348W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

208nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

IRG4RC10SDPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

14A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 8A

Leistung - max

38W

Schaltenergie

310µJ (on), 3.28mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

15nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

76ns/815ns

Testbedingung

480V, 8A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

28ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

D-Pak

STGB15H60DF

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 15A

Leistung - max

115W

Schaltenergie

136µJ (on), 207µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

81nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

24.5ns/118ns

Testbedingung

400V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

103ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

STGW19NC60W

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

42A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 12A

Leistung - max

140W

Schaltenergie

81µJ (on), 125µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

53nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/90ns

Testbedingung

390V, 12A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Leistung - max

270W

Schaltenergie

490µJ (on), 140µJ (off)

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Gate Charge

1018nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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Reverse Recovery Time (trr)

-

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-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

TO-247-3

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