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IKP39N65ES5XKSA1

IKP39N65ES5XKSA1

Nur als Referenz

Teilenummer IKP39N65ES5XKSA1
PNEDA Teilenummer IKP39N65ES5XKSA1
Beschreibung IGBT 650V 39A TO220-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 16.056
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IKP39N65ES5XKSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIKP39N65ES5XKSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IKP39N65ES5XKSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieTrenchStop™ 5
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)62A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.85V @ 15V, 39A
Leistung - max188W
Schaltenergie800µJ (on), 500µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge70nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.20ns/120ns
Testbedingung400V, 39A, 12.8Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)84ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketPG-TO220-3

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

13A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

26A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 5A

Leistung - max

90W

Schaltenergie

110µJ (on), 135µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

18.2nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/215ns

Testbedingung

400V, 5A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

STGF10NC60KD

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

9A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 5A

Leistung - max

25W

Schaltenergie

55µJ (on), 85µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

19nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17ns/72ns

Testbedingung

390V, 5A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

22ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220FP

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 20A

Leistung - max

190W

Schaltenergie

2.1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

62nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/270ns

Testbedingung

960V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

40ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

NGTB30N65IHL2WG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 30A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

200µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

135nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/145ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

430ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

IKD06N60RAATMA2

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 6A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

48nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/127ns

Testbedingung

400V, 6A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

68ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

PG-TO252-3

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