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IJW120R070T1FKSA1

IJW120R070T1FKSA1

Nur als Referenz

Teilenummer IJW120R070T1FKSA1
PNEDA Teilenummer IJW120R070T1FKSA1
Beschreibung JFET N-CHAN 35A TO247-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 8.154
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IJW120R070T1FKSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIJW120R070T1FKSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - JFETs
Datenblatt
IJW120R070T1FKSA1, IJW120R070T1FKSA1 Datenblatt (Total Pages: 20, Größe: 1.263,8 KB)
PDFIJW120R070T1FKSA1 Datenblatt Cover
IJW120R070T1FKSA1 Datenblatt Seite 2 IJW120R070T1FKSA1 Datenblatt Seite 3 IJW120R070T1FKSA1 Datenblatt Seite 4 IJW120R070T1FKSA1 Datenblatt Seite 5 IJW120R070T1FKSA1 Datenblatt Seite 6 IJW120R070T1FKSA1 Datenblatt Seite 7 IJW120R070T1FKSA1 Datenblatt Seite 8 IJW120R070T1FKSA1 Datenblatt Seite 9 IJW120R070T1FKSA1 Datenblatt Seite 10 IJW120R070T1FKSA1 Datenblatt Seite 11

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IJW120R070T1FKSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
FET-TypN-Channel
Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)-
Drain to Source Voltage (Vdss)1200V
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)3.3µA @ 1200V
Stromaufnahme (Id) - max35A
Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2000pF @ 19.5V (VGS)
Widerstand - RDS (Ein)70 mOhms
Leistung - max238W
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketPG-TO247-3

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

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Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

30mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

1V @ 3nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

30pF @ 10V (VGS)

Widerstand - RDS (Ein)

10 Ohms

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

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Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

25V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

24mA @ 10V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

2V @ 1nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5pF @ 10V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-78-6 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-78-6

SST5461-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

40V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

2mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

1V @ 1µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7pF @ 15V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

210µA @ 2V

Stromaufnahme (Id) - max

1mA

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

1V @ 1µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3.1pF @ 2V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

100mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

3-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

3-VTFP

U430

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

25V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

12mA @ 10V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

1V @ 1nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5pF @ 10V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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