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IHW30N110R3FKSA1

IHW30N110R3FKSA1

Nur als Referenz

Teilenummer IHW30N110R3FKSA1
PNEDA Teilenummer IHW30N110R3FKSA1
Beschreibung IGBT 1100V 60A 333W TO247-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 7.824
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IHW30N110R3FKSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIHW30N110R3FKSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IHW30N110R3FKSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-TypTrench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1100V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)60A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)90A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.75V @ 15V, 30A
Leistung - max333W
Schaltenergie1.15mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge180nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-/350ns
Testbedingung600V, 30A, 15Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketPG-TO247-3

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1350V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 40A

Leistung - max

394W

Schaltenergie

2mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

305nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/410ns

Testbedingung

600V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

HGTP3N60A4

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

17A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 3A

Leistung - max

70W

Schaltenergie

37µJ (on), 25µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

21nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

6ns/73ns

Testbedingung

390V, 3A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

140A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 35A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

36ns/160ns

Testbedingung

960V, 35A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

40ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PLUS247™-3

IRG4BC30FD1PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

31A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

124A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 17A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

370µJ (on), 1.42mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

57nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/250ns

Testbedingung

480V, 17A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

46ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

RGT00TS65DGC11

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

85A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Leistung - max

277W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

94nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

42ns/137ns

Testbedingung

400V, 50A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

54ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247N

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