IGW60N60H3FKSA1
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| Teilenummer | IGW60N60H3FKSA1 |
| PNEDA Teilenummer | IGW60N60H3FKSA1 |
| Beschreibung | IGBT TRENCH 600V 80A TO247-3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.238 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 23 - Jun 28 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IGW60N60H3FKSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IGW60N60H3FKSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IGW60N60H3FKSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | TrenchStop™ |
| IGBT-Typ | Trench |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 80A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 180A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 60A |
| Leistung - max | 416W |
| Schaltenergie | 2.1mJ (on), 1.13mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 375nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 27ns/252ns |
| Testbedingung | 400V, 60A, 6Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO247-3 |
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Hersteller IXYS Serie GenX3™, XPT™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 145A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 440A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 70A Leistung - max 400W Schaltenergie 1.9mJ (on), 2mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 143nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/120ns Testbedingung 360V, 70A, 2Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 140ns Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket ISOPLUS247™ |
Hersteller IXYS Serie GenX3™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 40A Leistung - max 380W Schaltenergie 800µJ (on), 450µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 115nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 21ns/70ns Testbedingung 480V, 40A, 3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 25ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Lieferantengerätepaket TO-268 |
Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop™ IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 8A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 12A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 4A Leistung - max 42W Schaltenergie 61µJ (on), 84µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 27nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 14ns/164ns Testbedingung 400V, 4A, 47Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Lieferantengerätepaket PG-TO251-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 22A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 44A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 10A Leistung - max 156W Schaltenergie 140µJ (on), 250µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 38nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/230ns Testbedingung 400V, 10A, 47Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 90ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller IXYS Serie XPT™, GenX4™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 115A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 225A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 40A Leistung - max 455W Schaltenergie 1.4mJ (on), 800µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 66nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 20ns/115ns Testbedingung 400V, 40A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 60ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
