IGOT60R070D1AUMA1
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| Teilenummer | IGOT60R070D1AUMA1 |
| PNEDA Teilenummer | IGOT60R070D1AUMA1 |
| Beschreibung | IC GAN FET 600V 60A 20DSO |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.280 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 3 - Nov 8 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IGOT60R070D1AUMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IGOT60R070D1AUMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IGOT60R070D1AUMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | CoolGaN™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 31A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.6V @ 2.6mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | -10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 380pF @ 400V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 125W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-DSO-20-87 |
| Paket / Fall | 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width) |
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie * FET-Typ - Technologie - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Lieferantengerätepaket - Paket / Fall - |
Hersteller Vishay Siliconix Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 24A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 141mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2744pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 202W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerPAK® 8 x 8 Paket / Fall 8-PowerTDFN |
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