IDT71V3557SA85BG
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| Teilenummer | IDT71V3557SA85BG |
| PNEDA Teilenummer | IDT71V3557SA85BG |
| Beschreibung | IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA |
| Hersteller | IDT, Integrated Device Technology |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.636 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 1 - Dez 6 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IDT71V3557SA85BG Ressourcen
| Marke | IDT, Integrated Device Technology |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IDT71V3557SA85BG |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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IDT71V3557SA85BG Technische Daten
| Hersteller | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) |
| Speichergröße | 4.5Mb (128K x 36) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | 8.5ns |
| Spannung - Versorgung | 3.135V ~ 3.465V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 119-BGA |
| Lieferantengerätepaket | 119-PBGA (14x22) |
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Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - DDR4 Speichergröße 4Gb (256M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 1.33GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur -40°C ~ 105°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 96-TFBGA Lieferantengerätepaket 96-FBGA (9x14) |
Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 2Kb (256 x 8) Speicherschnittstelle I²C Taktfrequenz 400kHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 5ms Zugriffszeit 900ns Spannung - Versorgung 2.7V ~ 5.5V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 2Mb (128K x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 55ns Zugriffszeit 55ns Spannung - Versorgung 2.3V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 48-LFBGA Lieferantengerätepaket 48-BGA (6x8) |
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 4Mb (512K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 10ns Zugriffszeit 10ns Spannung - Versorgung 2.4V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 36-TFBGA Lieferantengerätepaket 36-TFBGA (6x8) |
