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IDT71V2556S100BG8

IDT71V2556S100BG8

Nur als Referenz

Teilenummer IDT71V2556S100BG8
PNEDA Teilenummer IDT71V2556S100BG8
Beschreibung IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA
Hersteller IDT, Integrated Device Technology
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Auf Lager 4.932
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IDT71V2556S100BG8 Ressourcen

Marke IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIDT71V2556S100BG8
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IDT71V2556S100BG8, IDT71V2556S100BG8 Datenblatt (Total Pages: 26, Größe: 493,04 KB)
PDFIDT71V2558S200PF8 Datenblatt Cover
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IDT71V2556S100BG8 Technische Daten

HerstellerIDT, Integrated Device Technology Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße4.5Mb (128K x 36)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz100MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit5ns
Spannung - Versorgung3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall119-BGA
Lieferantengerätepaket119-PBGA (14x22)

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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-

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

5.5ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

NVSRAM

Technologie

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Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

25ns

Zugriffszeit

25ns

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

PSRAM

Technologie

PSRAM (Pseudo SRAM)

Speichergröße

64Mb (8M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

100MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

40ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

DRAM

Speichergröße

576Mb (64M x 9)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

400MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR2

Speichergröße

16Gb (256M x 64)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

533MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.14V ~ 1.3V

Betriebstemperatur

-30°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

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