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IDL12G65C5XUMA2

IDL12G65C5XUMA2

Nur als Referenz

Teilenummer IDL12G65C5XUMA2
PNEDA Teilenummer IDL12G65C5XUMA2
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 650V 12A VSON-4
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 5.868
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IDL12G65C5XUMA2 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIDL12G65C5XUMA2
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single

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IDL12G65C5XUMA2 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieCoolSiC™+
DiodentypSilicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)650V
Current - Average Rectified (Io)12A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.7V @ 12A
GeschwindigkeitNo Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)0ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr190µA @ 650V
Kapazität @ Vr, F.360pF @ 1V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall4-PowerTSFN
LieferantengerätepaketPG-VSON-4
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C

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Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

25A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 25A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

25µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

300pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SRA

Lieferantengerätepaket

SRA

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

RM 11BV1

Sanken

Hersteller

Sanken

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

1.2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

920mV @ 1.5A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 800V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

Axial

Lieferantengerätepaket

Axial

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

VB30120S-E3/8W

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

TMBS®

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

120V

Current - Average Rectified (Io)

30A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 30A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 120V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263AB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

VS-40HFR60

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard, Reverse Polarity

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

40A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 125A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

9mA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

DO-203AB, DO-5, Stud

Lieferantengerätepaket

DO-203AB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 190°C

TSF20H120C-S C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

120V

Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

860mV @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

150µA @ 120V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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