IDH02SG120XKSA1
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| Teilenummer | IDH02SG120XKSA1 |
| PNEDA Teilenummer | IDH02SG120XKSA1 |
| Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 1200V 2A TO220-2 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.436 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 1 - Dez 6 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IDH02SG120XKSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IDH02SG120XKSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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IDH02SG120XKSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | CoolSiC™+ |
| Diodentyp | Silicon Carbide Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1200V |
| Current - Average Rectified (Io) | 2A (DC) |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 2A |
| Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 48µA @ 1200V |
| Kapazität @ Vr, F. | 125pF @ 1V, 1MHz |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-2 |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO220-2-2 |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 175°C |
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Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 40V Current - Average Rectified (Io) 1A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 15ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 200µA @ 40V Kapazität @ Vr, F. 50pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 3-TDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket TLM322 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
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