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HUF76432P3

HUF76432P3

Nur als Referenz

Teilenummer HUF76432P3
PNEDA Teilenummer HUF76432P3
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 59A TO-220AB
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 4.986
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HUF76432P3 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerHUF76432P3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
HUF76432P3, HUF76432P3 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 216,31 KB)
PDFHUF76432P3 Datenblatt Cover
HUF76432P3 Datenblatt Seite 2 HUF76432P3 Datenblatt Seite 3 HUF76432P3 Datenblatt Seite 4 HUF76432P3 Datenblatt Seite 5 HUF76432P3 Datenblatt Seite 6 HUF76432P3 Datenblatt Seite 7 HUF76432P3 Datenblatt Seite 8 HUF76432P3 Datenblatt Seite 9 HUF76432P3 Datenblatt Seite 10

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HUF76432P3 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieUltraFET™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.59A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs17mOhm @ 59A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs53nC @ 10V
Vgs (Max)±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1765pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)130W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220-3
Paket / FallTO-220-3

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.2A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

270mOhm @ 1.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

500pF @ 40V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

760mW (Ta), 2.5W (Tc)

Betriebstemperatur

-50°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3 (TO-236)

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

TSM6NB60CZ C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.6Ohm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18.3nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

872pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

40W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220

Paket / Fall

TO-220-3

SPP04N80C3XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.3Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 240µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

570pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

63W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3

Paket / Fall

TO-220-3

AON6912ALS

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

*

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

IRFZ44VS

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

55A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16.5mOhm @ 31A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

67nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1812pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

115W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Kürzlich verkauft

CNY17-4X007

CNY17-4X007

Vishay Semiconductor Opto Division

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD

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Sumida

FIXED IND 10UH 4.5A 28 MOHM SMD

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SMBJ5.0A-TR

SMBJ5.0A-TR

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TVS DIODE 5V 13.4V SMB

SMBJ6V5A

SMBJ6V5A

Taiwan Semiconductor Corporation

TVS DIODE 6.5V 11.2V DO214AA

74HC164D

74HC164D

Toshiba Semiconductor and Storage

IC SHIFT REGISTER 8BIT 14SOP

ADP3339AKCZ-2.5-R7

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Sumida

FIXED IND 1UH 16.5A 2.5 MOHM SMD