HUF75542P3
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| Teilenummer | HUF75542P3 |
| PNEDA Teilenummer | HUF75542P3 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 80V 75A TO-220AB |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.524 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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HUF75542P3 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | HUF75542P3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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HUF75542P3 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | UltraFET™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 75A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 75A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 180nC @ 20V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2750pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 230W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220-3 |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
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Hersteller Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 15V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.18A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.25nC @ 10V Vgs (Max) +2V, -15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 710mW (Ta) Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 16-TSSOP Paket / Fall 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
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