HS8K11TB
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| Teilenummer | HS8K11TB |
| PNEDA Teilenummer | HS8K11TB |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.438 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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HS8K11TB Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | HS8K11TB |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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HS8K11TB Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 7A, 11A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.9mOhm @ 7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.1nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 500pF @ 15V |
| Leistung - max | 2W |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-UDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | HSML3030L10 |
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