HN3C10FUTE85LF
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| Teilenummer | HN3C10FUTE85LF |
| PNEDA Teilenummer | HN3C10FUTE85LF |
| Beschreibung | RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6 |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.244 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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HN3C10FUTE85LF Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | HN3C10FUTE85LF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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HN3C10FUTE85LF Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Transistortyp | 2 NPN (Dual) |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 12V |
| Frequenz - Übergang | 7GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
| Gewinn | 11.5dB |
| Leistung - max | 200mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 80 @ 20mA, 10V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 80mA |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Lieferantengerätepaket | US6 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 18V Frequenz - Übergang 175MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 12dB Leistung - max 34W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 250mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 2.5A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall M122 Lieferantengerätepaket M122 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 30V Frequenz - Übergang 700MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 2dB ~ 3dB @ 200MHz Gewinn 20dB ~ 24dB Leistung - max 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 2mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 2dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz Gewinn - Leistung - max 300mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 65 @ 15mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 25mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket SOT-323-3 |
