HGTP12N60A4D
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| Teilenummer | HGTP12N60A4D |
| PNEDA Teilenummer | HGTP12N60A4D |
| Beschreibung | IGBT 600V 54A 167W TO220AB |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 11.544 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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HGTP12N60A4D Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | HGTP12N60A4D |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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HGTP12N60A4D Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 54A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 96A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 12A |
| Leistung - max | 167W |
| Schaltenergie | 55µJ (on), 50µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 78nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 17ns/96ns |
| Testbedingung | 390V, 12A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 30ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220-3 |
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Hersteller IXYS Serie GenX3™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) 400A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 50A Leistung - max 460W Schaltenergie 1.5mJ (on), 1mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 168nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/138ns Testbedingung 480V, 50A, 3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 35ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264 (IXGK) |
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