HGTG12N60A4D
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| Teilenummer | HGTG12N60A4D |
| PNEDA Teilenummer | HGTG12N60A4D |
| Beschreibung | IGBT 600V 54A 167W TO247 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.284 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 3 - Feb 8 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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HGTG12N60A4D Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | HGTG12N60A4D |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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HGTG12N60A4D Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 54A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 96A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 12A |
| Leistung - max | 167W |
| Schaltenergie | 55µJ (on), 50µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 78nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 17ns/96ns |
| Testbedingung | 390V, 12A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 30ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 16A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 32A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 9A Leistung - max 60W Schaltenergie 340µJ (on), 300µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 34nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 54ns/180ns Testbedingung 480V, 9A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 37ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
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