HGTD3N60C3S9A
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| Teilenummer | HGTD3N60C3S9A |
| PNEDA Teilenummer | HGTD3N60C3S9A |
| Beschreibung | IGBT 600V 6A 33W TO252AA |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.292 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 15 - Feb 20 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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HGTD3N60C3S9A Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | HGTD3N60C3S9A |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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HGTD3N60C3S9A Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 6A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 24A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 3A |
| Leistung - max | 33W |
| Schaltenergie | 85µJ (on), 245µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 10.8nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | - |
| Testbedingung | 480V, 3A, 82Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Lieferantengerätepaket | TO-252AA |
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Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop™ IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 30A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 10A Leistung - max 150W Schaltenergie 210µJ (on), 380µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 64nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 14ns/192ns Testbedingung 400V, 10A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket PG-TO252-3 |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 300V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 120A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
Hersteller IXYS Serie XPT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 2500V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 95A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 235A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 4V @ 15V, 25A Leistung - max 937W Schaltenergie 8.3mJ (on), 7.3mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 147nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 15ns/230ns Testbedingung 1250V, 25A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 34ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Lieferantengerätepaket TO-268HV (IXYT) |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1000V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 34A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 68A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 4V @ 15V, 17A Leistung - max 150W Schaltenergie 3mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 120nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 100ns/500ns Testbedingung 800V, 17A, 82Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 200ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-204AE Lieferantengerätepaket TO-204AE |
Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop® IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 74A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 40A Leistung - max 255W Schaltenergie 390µJ (on), 120µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 95nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 22ns/165ns Testbedingung 400V, 20A, 15Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 62ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket PG-TO220-3 |
