HAT1127HWS-E
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| Teilenummer | HAT1127HWS-E |
| PNEDA Teilenummer | HAT1127HWS-E |
| Beschreibung | MOSFET P-CH SOP8 |
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.436 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 30 - Dez 5 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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HAT1127HWS-E Ressourcen
| Marke | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | HAT1127HWS-E |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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HAT1127HWS-E Technische Daten
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 40A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 125nC @ 10V |
| Vgs (Max) | +10V, -20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5600pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 30W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 5-LFPAK |
| Paket / Fall | SC-100, SOT-669 |
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