H11F2
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| Teilenummer | H11F2 |
| PNEDA Teilenummer | H11F2 |
| Beschreibung | OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-DIP |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.014 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 28 - Dez 3 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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H11F2 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | H11F2 |
| Kategorie | Halbleiter › Isolatoren › Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang |
| Datenblatt |
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H11F2 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Anzahl der Kanäle | 1 |
| Spannungsisolation | 5300Vrms |
| Stromübertragungsverhältnis (min) | - |
| Stromübertragungsverhältnis (max.) | - |
| Ein- / Ausschaltzeit (Typ) | 25µs, 25µs (Max) |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | - |
| Eingabetyp | DC |
| Ausgabetyp | MOSFET |
| Spannung - Ausgang (max.) | 30V |
| Strom - Ausgang / Kanal | - |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.3V |
| Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) | 60mA |
| Vce-Sättigung (max.) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 100°C |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | 6-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Lieferantengerätepaket | 6-DIP |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 5300Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 63% @ 10mA Stromübertragungsverhältnis (max.) 125% @ 10mA Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 2µs, 3µs Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 1µs, 2µs Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor with Base Spannung - Ausgang (max.) 70V Strom - Ausgang / Kanal 50mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.35V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 100mA Vce-Sättigung (max.) 300mV Betriebstemperatur -55°C ~ 100°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall 6-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 6-DIP |
