H11AA1M
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| Teilenummer | H11AA1M |
| PNEDA Teilenummer | H11AA1M |
| Beschreibung | OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 168.560 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 26 - Dez 1 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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H11AA1M Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | H11AA1M |
| Kategorie | Halbleiter › Isolatoren › Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang |
| Datenblatt |
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H11AA1M Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Anzahl der Kanäle | 1 |
| Spannungsisolation | 4170Vrms |
| Stromübertragungsverhältnis (min) | 20% @ 10mA |
| Stromübertragungsverhältnis (max.) | - |
| Ein- / Ausschaltzeit (Typ) | - |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | - |
| Eingabetyp | AC, DC |
| Ausgabetyp | Transistor with Base |
| Spannung - Ausgang (max.) | 30V |
| Strom - Ausgang / Kanal | 50mA |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.17V |
| Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) | 60mA |
| Vce-Sättigung (max.) | 400mV |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 100°C |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | 6-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Lieferantengerätepaket | 6-DIP |
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Hersteller Sharp Microelectronics Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 5000Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 1000% @ 1mA Stromübertragungsverhältnis (max.) - Ein- / Ausschaltzeit (Typ) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 100µs, 20µs Eingabetyp DC Ausgabetyp Darlington Spannung - Ausgang (max.) 350V Strom - Ausgang / Kanal 150mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.2V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 50mA Vce-Sättigung (max.) 1.2V Betriebstemperatur -30°C ~ 100°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall 4-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 4-DIP |
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