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H11A817D3SD

H11A817D3SD

Nur als Referenz

Teilenummer H11A817D3SD
PNEDA Teilenummer H11A817D3SD
Beschreibung OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 5.346
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 27 - Dez 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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H11A817D3SD Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerH11A817D3SD
KategorieHalbleiterIsolatorenOptoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang
Datenblatt
H11A817D3SD, H11A817D3SD Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 85,1 KB)
PDFH11A617B300 Datenblatt Cover
H11A617B300 Datenblatt Seite 2 H11A617B300 Datenblatt Seite 3 H11A617B300 Datenblatt Seite 4 H11A617B300 Datenblatt Seite 5 H11A617B300 Datenblatt Seite 6 H11A617B300 Datenblatt Seite 7 H11A617B300 Datenblatt Seite 8 H11A617B300 Datenblatt Seite 9

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H11A817D3SD Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
Anzahl der Kanäle1
Spannungsisolation5300Vrms
Stromübertragungsverhältnis (min)300% @ 5mA
Stromübertragungsverhältnis (max.)600% @ 5mA
Ein- / Ausschaltzeit (Typ)-
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)2.4µs, 2.4µs
EingabetypDC
AusgabetypTransistor
Spannung - Ausgang (max.)70V
Strom - Ausgang / Kanal50mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)1.2V
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)50mA
Vce-Sättigung (max.)200mV
Betriebstemperatur-55°C ~ 100°C
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall4-SMD, Gull Wing
Lieferantengerätepaket4-SMD

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Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

3750Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

100% @ 500µA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

300% @ 500µA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

4µs, 3µs

Eingabetyp

AC, DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

80V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.2V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

10mA

Vce-Sättigung (max.)

200mV

Betriebstemperatur

-30°C ~ 100°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SMD, Gull Wing

Lieferantengerätepaket

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

3750Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

100% @ 5mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

200% @ 5mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

3µs, 3µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

80V

Strom - Ausgang / Kanal

80mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.3V (Max)

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

50mA

Vce-Sättigung (max.)

400mV

Betriebstemperatur

-40°C ~ 100°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SMD, Gull Wing

Lieferantengerätepaket

4-SMD

TIL111VM

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

7500Vpk

Stromübertragungsverhältnis (min)

-

Stromübertragungsverhältnis (max.)

-

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

10µs, 10µs (Max)

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor with Base

Spannung - Ausgang (max.)

30V

Strom - Ausgang / Kanal

2mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.2V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

60mA

Vce-Sättigung (max.)

400mV

Betriebstemperatur

-40°C ~ 100°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

6-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

6-DIP

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Vishay Semiconductor Opto Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Opto Division

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5000Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

63% @ 10mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

125% @ 10mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

3µs, 2.3µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

2µs, 2µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor with Base

Spannung - Ausgang (max.)

70V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.25V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

60mA

Vce-Sättigung (max.)

400mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

6-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

6-DIP

FODM124

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

3750Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

100% @ 1mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

1200% @ 1mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

3µs, 3µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

80V

Strom - Ausgang / Kanal

80mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.3V (Max)

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

50mA

Vce-Sättigung (max.)

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